Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1237–1243
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48131.14
(Mi phts5409)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Усиление терагерцового излучения высокодобротными резонансными плазмонами в двухслойной периодической структуре на основе графена в режиме антикроссинга плазмонных мод

О. В. Полищукa, Д. В. Фатеевab, В. В. Поповa

a Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
Аннотация: Теоретически исследован спектр усиления терагерцового излучения в двухслойном структурированном активном графене, представляющем собой два одинаковых периодических массива графеновых микрополосок, разделенных тонким диэлектрическим барьерным слоем. Рассматриваемая система поддерживает оптические и акустические плазмонные моды. Резонансные частоты оптической и акустической мод меняются противоположным образом с изменением толщины изолирующего диэлектрического слоя, что делает возможным режим антикроссинга плазмонных мод. Показано, что исследуемая графеновая структура характеризуется сильным плазмонным откликом и гигантским усилением терагерцового излучения на частотах плазменного резонанса в окрестности режима антикроссинга между оптическими и акустическими плазмонными модами при комнатной температуре.
Ключевые слова: терагерцовое излучение, плазмон, графен, антикроссинг плазмонных мод.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-37-20004
Работа выполнена в рамках государственного задания и частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект РФФИ № 18-37-20004).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1211–1216
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261909015X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Полищук, Д. В. Фатеев, В. В. Попов, “Усиление терагерцового излучения высокодобротными резонансными плазмонами в двухслойной периодической структуре на основе графена в режиме антикроссинга плазмонных мод”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1237–1243; Semiconductors, 53:9 (2019), 1211–1216
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PolFatPop19}
\by О.~В.~Полищук, Д.~В.~Фатеев, В.~В.~Попов
\paper Усиление терагерцового излучения высокодобротными резонансными плазмонами в двухслойной периодической структуре на основе графена в режиме антикроссинга плазмонных мод
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1237--1243
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5409}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48131.14}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129870}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1211--1216
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261909015X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5409
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1237
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024