Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1233–1236
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48130.13 (Mi phts5408) 		 
XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур

С. М. Планкинаa, О. В. Вихроваb, Б. Н. Звонковb, С. Ю. Зубковa, Р. Н. Крюковa, А. В. Неждановa, Д. А. Павловa, И. Ю. Пашенькинc, А. А. Сушковa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (337 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48130.13
Аннотация: Представлены результаты исследования фотодиодных структур GaInAs/GaInP/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Разработана методика диагностики таких многослойных структур, основанная на комплексном применении спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии фотолюминесценции в режиме латерального сканирования поперечных сколов, и определены составы твердых растворов GaInAs и GaInP.
Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, гетероструктуры, метаморфный слой, комбинационное рассеяние света, фотолюминесценция.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 8.1751.2017/ПЧ
Российский фонд фундаментальных исследований 18-29-19137_мк
Работа выполнена при поддержке проектной части государственного задания Министерства образования и науки России (№ 8.1751.2017/ПЧ) и РФФИ (грант 18-29-19137_мк).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1207–1210
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090148
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, Д. А. Павлов, И. Ю. Пашенькин, А. А. Сушков, “Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1233–1236; Semiconductors, 53:9 (2019), 1207–1210
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PlaVikZvo19}
\by С.~М.~Планкина, О.~В.~Вихрова, Б.~Н.~Звонков, С.~Ю.~Зубков, Р.~Н.~Крюков, А.~В.~Нежданов, Д.~А.~Павлов, И.~Ю.~Пашенькин, А.~А.~Сушков
\paper Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1233--1236
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5408}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48130.13}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129869}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1207--1210
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090148}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5408
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1233
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024