Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1224–1228
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48128.11 (Mi phts5406) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Спектр двойных акцепторов в слоях барьеров и квантовых ям гетероструктур HgTe/СdHgTe

Д. В. Козловab, В. В. Румянцевab, С. В. Морозовab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (126 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48128.11
Аннотация: Проведено теоретическое исследование состояний двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами, учитывающее существенную разницу значений диэлектрической проницаемости слоев барьеров и квантовых ям. Влияние такой разницы и возникающего из-за нее наведенного на гетерограницах заряда описывалось с помощью потенциала зарядов-изображений. Расчет показал существенное изменение энергии связи акцепторных центров – вакансий ртути из-за наведенного заряда, при этом энергии ионизации вакансий ртути хорошо согласуются с положением спектральных особенностей в спектре фотолюминесценции гетероструктур HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами.
Ключевые слова: гетероструктуры, двойные акцепторы, дефекты, вакансии ртути, фотолюминесценция, КРТ структуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-12-01360
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Российского научного фонда № 17-12-01360.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1198–1202
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090100
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, “Спектр двойных акцепторов в слоях барьеров и квантовых ям гетероструктур HgTe/СdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1224–1228; Semiconductors, 53:9 (2019), 1198–1202
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KozRumMor19}
\by Д.~В.~Козлов, В.~В.~Румянцев, С.~В.~Морозов
\paper Спектр двойных акцепторов в слоях барьеров и квантовых ям гетероструктур HgTe/СdHgTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1224--1228
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5406}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48128.11}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129867}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1198--1202
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090100}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5406
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1224
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024