Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1195–1199
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48123.06 (Mi phts5401) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Подавление электронно-дырочного обменного взаимодействия в резервуаре неизлучающих экситонов

А. В. Трифонов, И. В. Игнатьев, К. В. Кавокин, А. В. Кавокин, П. Ю. Шапочкин, Ю. П. Ефимов, С. А. Елисеев, В. А. Ловцюс

Санкт-Петербургский государственный университет
PDF полного текста (260 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48123.06
Аннотация: Выполнен теоретический анализ механизмов подавления электронно-дырочного обменного взаимодействия в неизлучающих экситонах с большим волновым вектором в высококачественных гетероструктурах с квантовыми ямами. Показано, что основным механизмом подавления является рассеяние экситонов с взаимным переворотом спинов носителей одного знака (либо двух электронов, либо двух дырок), входящих в экситоны. В результате этого спиновая поляризация электронов в неизлучающих экситонах может сохраняться длительное время. Анализ экспериментальных результатов показывает, что это время может быть больше одной наносекунды. Столь длительная и оптически контролируемая спиновая память в экситонном резервуаре может представлять интерес для будущих информационных технологий.
Ключевые слова: экситон, обменное взаимодействие, квантовая яма.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-20039
Авторы благодарят Российский научный фонд за финансовую поддержку, грант № 19-72-20039, и ресурсный центр “Нанофотоника” за предоставленный образец для исследований.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1170–1174
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090239
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Трифонов, И. В. Игнатьев, К. В. Кавокин, А. В. Кавокин, П. Ю. Шапочкин, Ю. П. Ефимов, С. А. Елисеев, В. А. Ловцюс, “Подавление электронно-дырочного обменного взаимодействия в резервуаре неизлучающих экситонов”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1195–1199; Semiconductors, 53:9 (2019), 1170–1174
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TriIgnKav19}
\by А.~В.~Трифонов, И.~В.~Игнатьев, К.~В.~Кавокин, А.~В.~Кавокин, П.~Ю.~Шапочкин, Ю.~П.~Ефимов, С.~А.~Елисеев, В.~А.~Ловцюс
\paper Подавление электронно-дырочного обменного взаимодействия в резервуаре неизлучающих экситонов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1195--1199
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5401}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48123.06}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129861}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1170--1174
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090239}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5401
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1195
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024