Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1178–1181
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48120.03 (Mi phts5398) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм

В. В. Уточкинa, В. Я. Алешкинa, А. А. Дубиновa, В. И. Гавриленкоa, Н. С. Куликовa, М. А. Фадеевa, В. В. Румянцевa, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb, С. В. Морозовa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (109 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48120.03
Аннотация: В гетероструктуре c квантовыми ямами Hg$_{0.903}$Cd$_{0.097}$Te/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te, помещенной в диэлектрический волноводный слой из широкозонного CdHgTe, получено стимулированное излучение на длинах волн 14–11 мкм при температурах 18–80 K. Рассчитана пороговая энергия оже-рекомбинации для серии гетероструктур с квантовыми ямами из чистого HgTe с шириной запрещенной зоны 90 мэВ (длина волны 14 мкм), продемонстрирована возможность создания лазеров c длиной волны 14 мкм с рабочими температурами выше температуры жидкого азота.
Ключевые слова: пороговая энергия, оже-рекомбинация, HgCdTe.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-12-01360
Министерство образования и науки Российской Федерации МК-4399.2018.2
Исследование спектров стимулированного излучения и расчет пороговой энергии оже-рекомбинации выполнены при поддержке гранта Российского научного фонда (№ 17-12-01360). Характеризация структур по изменениям спектров фотолюминесценции и расчеты зонного спектра структур проведены при поддержке Министерства образования и науки РФ (МК-4399.2018.2).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1154–1157
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090264
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1178–1181; Semiconductors, 53:9 (2019), 1154–1157
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UtoAleDub19}
\by В.~В.~Уточкин, В.~Я.~Алешкин, А.~А.~Дубинов, В.~И.~Гавриленко, Н.~С.~Куликов, М.~А.~Фадеев, В.~В.~Румянцев, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий, С.~В.~Морозов
\paper Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1178--1181
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5398}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48120.03}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129856}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1154--1157
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090264}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5398
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1178
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024