Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1172–1177
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48119.02 (Mi phts5397) 		 
XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Использование двухзеркальных двумерных брэгговских резонаторов в полупроводниковых гетеролазерах

В. Р. Барышев, Н. С. Гинзбург, В. Ю. Заславский, А. М. Малкин

Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (746 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48119.02
Аннотация: Предложена схема двухзеркального двумерного брэгговского резонатора на основе структур планарной геометрии, которая типична для гетеролазеров на основе межзонных переходов и квантово-каскадных лазеров. Отличительной особенностью таких резонаторов является обеспечение связи между продольными и поперечными потоками энергии в двумерных брэгговских зеркалах. Описан спектр собственных мод. Показана возможность использования резонаторов данного типа для синхронизации излучения лазеров и лазерных решеток.
Ключевые слова: гетеролазер, одномодовая генерация, брэгговские структуры, распределенная обратная связь.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2014-013
Российский фонд фундаментальных исследований 18-48-520022
Работа выполнена в рамках государственного задания Института прикладной физики РАН на проведение научных исследований по теме № 0035-2014-013 и проекта Российского фонда фундаментальных исследований № 18-48-520022.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1148–1153
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090033
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Р. Барышев, Н. С. Гинзбург, В. Ю. Заславский, А. М. Малкин, “Использование двухзеркальных двумерных брэгговских резонаторов в полупроводниковых гетеролазерах”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1172–1177; Semiconductors, 53:9 (2019), 1148–1153
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BarGinZas19}
\by В.~Р.~Барышев, Н.~С.~Гинзбург, В.~Ю.~Заславский, А.~М.~Малкин
\paper Использование двухзеркальных двумерных брэгговских резонаторов в полупроводниковых гетеролазерах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1172--1177
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5397}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48119.02}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129855}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1148--1153
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090033}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5397
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1172
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024