Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1419–1423
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48300.9092
(Mi phts5389)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Электронные состояния наносистем на основе сульфида кадмия в форме сфалерита

В. Г. Заводинскийa, А. П. Кузьменкоb

a Институт материаловедения Дальневосточного отделения Российской академии наук, Хабаровск, Россия
b Юго-Западный государственный университет, г. Курск
Аннотация: Методом теории функционала плотности с применением псевдопотенциалов исследована электронная структура наносистем на основе сульфида кадмия в фазе сфалерита (цинковой обманки – $zb$-CdS). Показано, что использованный подход позволяет адекватно описывать электронные состояния данного материала. Обнаружено, что поверхность (100)-$zb$-CdS характеризуется металлоподобной плотностью электронных состояний, в то время как поверхности (110)-$zb$-CdS соответствует запрещенная зона на уровне Ферми, и нанопленки с данной ориентацией могут быть использованы как материал для полупроводниковых приборов. Эпитаксиальные слоистые наносистемы (110)-$zb$-CdS–Si также проявляют полупроводниковые свойства.
Ключевые слова: CdS, ab initio моделирование, запрещенная зона, электронная структура, наносистемы.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.2814.2017/PCh
Настоящая работа финансирована Министерством образования и науки Российской Федерации, задание № 16.2814.2017/PCh.
Поступила в редакцию: 04.03.2019
Исправленный вариант: 16.04.2019
Принята в печать: 18.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1381–1385
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100269
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Г. Заводинский, А. П. Кузьменко, “Электронные состояния наносистем на основе сульфида кадмия в форме сфалерита”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1419–1423; Semiconductors, 53:10 (2019), 1381–1385
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZavKuz19}
\by В.~Г.~Заводинский, А.~П.~Кузьменко
\paper Электронные состояния наносистем на основе сульфида кадмия в форме сфалерита
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1419--1423
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5389}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48300.9092}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174896}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1381--1385
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100269}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5389
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1419
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024