Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe

Исследованы спектры остаточной фотопроводимости (ОФП) в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe $n$- и $p$-типа проводимости при температуре $T$ = 4.2 K. Показано, что в зависимости от длины волны подсветки ОФП может быть как положительной (увеличение концентрации носителей в квантовой яме), так и отрицательной, причем максимумам ОФП в образце $n$-типа проводимости в целом соответствуют минимумы ОФП в образцах $p$-типа и наоборот. В образцах $p$-типа обнаружено, что подсветка при определенных длинах волн приводит к “вымораживанию” свободных носителей в КЯ, но не к конверсии типа проводимости, что указывает на важную роль в механизме ОФП встроенного электрического поля, которое “выключается” при нейтрализации квантовой ямы.