Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1391–1394
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48295.41 (Mi phts5384) 		 
XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов

Т. А. Шоболоваa, А. В. Коротковa, Е. В. Петряковаa, А. В. Липатниковa, А. С. Пузановa, С. В. Оболенскийa, В. А. Козловb

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (177 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48295.41
Аннотация: Обсуждаются подходы к решению задачи создания эффективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов радио- и сверхвысоких частот (0.1–10 ГГц), которые могли бы использоваться в качестве активных элементов современных Si- и GaAs-радиационно стойких аналого-цифровых интегральных схем. Проведено сравнение радиационной стойкости перспективных “латеральных” Si-биполярных и “вертикальных” AlGaAs/GaAs-гетеробиполярных транзисторов с характерной толщиной базы 70–350 нм. Детально проанализированы особенности транспорта электронов в активной области транзисторов и оценено влияние эффекта всплеска скорости и диффузии квазибаллистических электронов на повышение радиационной стойкости транзисторов.
Ключевые слова: биполярные и гетеробиполярные транзисторы, кремний-на-сапфире, транспорт электронов, моделирование, радиационная стойкость.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-13-00066
Исследование поддержано грантом Российского научного фонда (проект № 18-13-00066).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1353–1356
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100178
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. А. Шоболова, А. В. Коротков, Е. В. Петрякова, А. В. Липатников, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1391–1394; Semiconductors, 53:10 (2019), 1353–1356
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShoKorPet19}
\by Т.~А.~Шоболова, А.~В.~Коротков, Е.~В.~Петрякова, А.~В.~Липатников, А.~С.~Пузанов, С.~В.~Оболенский, В.~А.~Козлов
\paper Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1391--1394
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5384}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48295.41}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174872}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1353--1356
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100178}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5384
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1391
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:42
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024