Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1329–1337
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48285.31
(Mi phts5374)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Особенности одновременной генерации низко- и высокодобротных мод в гетеролазерах на квантовых точках с большим временем некогерентной релаксации оптических дипольных колебаний

Е. Р. Кочаровскаяab, А. В. Мишинab, И. С. Рябининab, В. В. Кочаровскийab

a Институт прикладной физики Российской академии наук, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация: Исследованы особенности многомодовой установившейся генерации сверхизлучающих гетеролазеров, в которых активной средой служат квантовые точки с большим временем некогерентной релаксации, а резонаторами – низкодобротные комбинированные резонаторы Фабри–Перо с распределенной обратной связью встречных волн. Показано, что благодаря квантово-когерентной динамике оптических дипольных колебаний и инверсии населенностей рабочих уровней в ансамбле квантовых точек с большим неоднородным уширением спектральной линии возможно сосуществование лазерных мод с различной степенью взаимного фазирования и(или) корреляции и с качественно различным динамическим поведением: квазистационарным, метастабильным, автомодуляционным, импульсно-периодическим, квазихаотическим.
Ключевые слова: сверхизлучающий гетеролазер, низкодобротный комбинированный резонатор.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 32
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2019-0002
Работа выполнена при поддержке Программы фундаментальных исследований президиума РАН № 32 “Наноструктуры: Физика, Химия, Биология, Основы технологий” (разд. 1–2) и государственного задания ИПФ РАН на проведение научных исследований по теме № 0035-2019-0002 (разд. 3−5).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1295–1303
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100099
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Р. Кочаровская, А. В. Мишин, И. С. Рябинин, В. В. Кочаровский, “Особенности одновременной генерации низко- и высокодобротных мод в гетеролазерах на квантовых точках с большим временем некогерентной релаксации оптических дипольных колебаний”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1329–1337; Semiconductors, 53:10 (2019), 1295–1303
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KocMisRya19}
\by Е.~Р.~Кочаровская, А.~В.~Мишин, И.~С.~Рябинин, В.~В.~Кочаровский
\paper Особенности одновременной генерации низко- и высокодобротных мод в гетеролазерах на квантовых точках с большим временем некогерентной релаксации оптических дипольных колебаний
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1329--1337
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5374}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48285.31}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174851}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1295--1303
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100099}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5374
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1329
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024