Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1321–1328
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48284.30 (Mi phts5373) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Асимметричная генерация в сверхизлучающем лазере с симметричным низкодобротным резонатором

Вл. В. Кочаровскийa, В. А. Кукушкинa, С. В. Тарасовa, Е. Р. Кочаровскаяa, В. В. Кочаровскийab

a Институт прикладной физики Российской академии наук, г. Нижний Новгород
b Техасский А&М университет, 77843 Колледж Стейшен, США
PDF полного текста (359 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48284.30
Аннотация: На основе численного решения уравнений Максвелла–Блоха для одномерной двухуровневой модели сверхизлучающего лазера с симметричным резонатором, в котором время жизни фотонов меньше времени некогерентной релаксации оптических дипольных колебаний активных центров, выявлена возможность самопроизвольного установления несимметричной генерации встречных волн при непрерывной однородной накачке активной среды. Показано, что обнаруженное явление нарушения симметрии пространственных профилей встречных волн электромагнитного поля, а также поляризации и инверсии населенностей уровней активной среды в рассматриваемом случае небольшого неоднородного уширения спектральной линии ее рабочего перехода происходит благодаря создаваемой этими волнами асимметричной полуволновой нелинейной решетки инверсии населенностей энергетических уровней.
Ключевые слова: сверхизлучающий полупроводниковый лазер, асимметричная генерация.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 32
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2019-0002
Работа поддержана в рамках выполнения программы фундаментальных исследований Президиума РАН № 32 “Наноструктуры: Физика, Химия, Биология, Основы технологий” (разд. 1–4) и государственного задания ИПФ РАН на проведение научных исследований по теме № 0035-2019-0002 (разд. 5).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1287–1294
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100105
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Вл. В. Кочаровский, В. А. Кукушкин, С. В. Тарасов, Е. Р. Кочаровская, В. В. Кочаровский, “Асимметричная генерация в сверхизлучающем лазере с симметричным низкодобротным резонатором”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1321–1328; Semiconductors, 53:10 (2019), 1287–1294
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KocKukTar19}
\by Вл.~В.~Кочаровский, В.~А.~Кукушкин, С.~В.~Тарасов, Е.~Р.~Кочаровская, В.~В.~Кочаровский
\paper Асимметричная генерация в сверхизлучающем лазере с симметричным низкодобротным резонатором
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1321--1328
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5373}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48284.30}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174850}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1287--1294
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100105}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5373
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1321
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024