Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1315–1320
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48283.29
(Mi phts5372)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Двумерные брэгговские резонаторы на основе планарных диэлектрических волноводов (от теории к модельному тестированию)

Н. С. Гинзбург, Н. Ю. Песков, В. Ю. Заславский, Е. Р. Кочаровская, А. М. Малкин, А. С. Сергеев, В. Р. Барышев, М. Д. Проявин, Д. И. Соболев

Институт прикладной физики Российской академии наук, г. Нижний Новгород
Аннотация: В рамках аналитического рассмотрения и трехмерного моделирования с использованием кода CST Microwave Studio выполнен теоретический анализ электродинамических характеристик двумерных брэгговских резонаторов на основе планарных диэлектрических волноводов с двоякопериодической гофрировкой. Подобные резонаторы представляют значительный интерес для получения направленного узкополосного излучения в гетеролазерах с большими размерами активной зоны. Проведены модельные электродинамические эксперименты по “холодному” тестированию указанных структур в миллиметровом диапазоне. Показано хорошее соответствие экспериментальных результатов с результатами моделирования, включая существование наиболее высокодобротной моды внутри полосы брэгговских отражений в отсутствие дефектов периодичности.
Ключевые слова: планарные диэлектрические волноводы, двумерная распределенная обратная связь, гетеролазеры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2019-0001
Российский фонд фундаментальных исследований 18-48-520022
Работа выполнена в рамках государственного задания ИПФ РАН на проведение научных исследований по теме № 0035-2019-0001 и проекта Российского фонда фундаментальных исследований № 18-48-520022.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1282–1286
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100075
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. С. Гинзбург, Н. Ю. Песков, В. Ю. Заславский, Е. Р. Кочаровская, А. М. Малкин, А. С. Сергеев, В. Р. Барышев, М. Д. Проявин, Д. И. Соболев, “Двумерные брэгговские резонаторы на основе планарных диэлектрических волноводов (от теории к модельному тестированию)”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1315–1320; Semiconductors, 53:10 (2019), 1282–1286
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GinPesZas19}
\by Н.~С.~Гинзбург, Н.~Ю.~Песков, В.~Ю.~Заславский, Е.~Р.~Кочаровская, А.~М.~Малкин, А.~С.~Сергеев, В.~Р.~Барышев, М.~Д.~Проявин, Д.~И.~Соболев
\paper Двумерные брэгговские резонаторы на основе планарных диэлектрических волноводов (от теории к модельному тестированию)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1315--1320
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5372}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48283.29}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174848}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1282--1286
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100075}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5372
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1315
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024