Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1311–1314
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48282.22 (Mi phts5371) 		 
XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$–$n$-переходом на основе GaAs

Н. В. Востоковa, В. М. Данильцевa, С. А. Краевa, В. Л. Крюковb, Е. В. Скороходовa, С. С. Стрельченкоb, В. И. Шашкинa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b ООО "МеГа Эпитех", Калуга, Россия
PDF полного текста (780 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48282.22
Аннотация: Приводятся первые результаты по созданию оригинального силового полевого транзистора на GaAs с вертикальным каналом, управляемым $p$–$n$-переходом. Главной технологической особенностью является использование двух отдельных процессов эпитаксиального роста при формировании транзисторной структуры. Часть транзистора, содержащая области стока, дрейфа и затвора, выращивается методом жидкофазной эпитаксии. Для формирования областей канала и истока применяется технология металлоорганической газофазной эпитаксии.
Ключевые слова: силовой вертикальный полевой транзистор, GaAs.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2014-0205
Исследования проведены в рамках выполнения государственного задания ИФМ РАН (тема № 0035-2014-0205).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1279–1281
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100245
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Востоков, В. М. Данильцев, С. А. Краев, В. Л. Крюков, Е. В. Скороходов, С. С. Стрельченко, В. И. Шашкин, “Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$–$n$-переходом на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1311–1314; Semiconductors, 53:10 (2019), 1279–1281
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VosDanKra19}
\by Н.~В.~Востоков, В.~М.~Данильцев, С.~А.~Краев, В.~Л.~Крюков, Е.~В.~Скороходов, С.~С.~Стрельченко, В.~И.~Шашкин
\paper Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$--$n$-переходом на основе GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1311--1314
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5371}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48282.22}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174847}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1279--1281
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100245}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5371
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1311
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024