Высоковольтные светодиодные кристаллы AlInGaN

Разработан и изготовлен высоковольтный светодиодный кристалл флип-чип конструкции на основе гетероструктуры AlInGaN, состоящий из 16 последовательно соединенных элементов, каждый из которых представляет собой стандартный светоизлучающий диод. При общей площади 1.25 $\times$ 1.25 мм кристалл рассчитан на рабочий ток 20 мА, падение напряжения на рабочем токе составляет 48 В. Для повышения однородности распределения тока по активной области элементов кристалла, а также минимизации потерь площади элементов, занятой $n$-контактом, $n$-контактные площадки в них размещены внутри области $p$-контакта благодаря двухуровневой схеме расположения металлизации с промежуточным изолирующим слоем диэлектрика. Топология расположения контактных площадок разрабатывалась с привлечением численного моделирования. Повышение квантового выхода кристалла обеспечивается применением комбинаций металлов с высоким коэффициентом отражения света на длине волны излучения светодиода, используемых при создании $n$- и $p$-контактов, а также токопроводящих полос.