Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11, страницы 1544–1546
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48452.9163
(Mi phts5362)
 

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Спектры пленок SmS в дальней и средней ИК областях

Ю. В. Улашкевич, В. В. Каминский, С. М. Соловьев, Н. В. Шаренкова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Основные особенности зонной структуры, выявленные на объемных образцах, сохраняются в тонких поликристаллических пленках SmS: дно зоны проводимости образовано состояниями $s$-типа, на расстоянии 0.04–0.065 эВ от дна зоны проводимости в запрещенной зоне имеются примесные донорные уровни.
Ключевые слова: поликристаллические пленки сульфида самария, дальняя и средняя ИК области, зонная структура.
Поступила в редакцию: 20.05.2019
Исправленный вариант: 28.05.2019
Принята в печать: 28.05.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 11, Pages 1511–1513
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619110216
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. В. Улашкевич, В. В. Каминский, С. М. Соловьев, Н. В. Шаренкова, “Спектры пленок SmS в дальней и средней ИК областях”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1544–1546; Semiconductors, 53:11 (2019), 1511–1513
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UlaKamSol19}
\by Ю.~В.~Улашкевич, В.~В.~Каминский, С.~М.~Соловьев, Н.~В.~Шаренкова
\paper Спектры пленок SmS в дальней и средней ИК областях
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1544--1546
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5362}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48452.9163}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41300657}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1511--1513
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619110216}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5362
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i11/p1544
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024