Структура халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_{5}$, легированного примесью EuF$_{3}$

Методами рентгеновской дифракции и комбинационного рассеяния света изучена локальная структура пленочных образцов халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_{5}$ и Se$_{95}$As$_{5}$(EuF$_{3}$)$_{x}$ ($x$ = 0.01–1 ат%). Определены “квазипериод” структуры, длина корреляции, структурные элементы и химические связи, образующие аморфную матрицу исследованных материалов. Интерпретация полученных результатов проведена в рамках пустотно-кластерной модели Эллиота с учетом химической активности ионов европия.