Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11, страницы 1527–1531
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48449.9076
(Mi phts5359)
 

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Анизотропные триггерные электрические свойства двумерных сверхрешеток

Д. В. Завьяловa, В. И. Конченковa, С. В. Крючковab

a Волгоградский государственный технический университет
b Волгоградский государственный социально-педагогический университет
Аннотация: Рассмотрена задача о спонтанном возникновении поперечного электрического поля при изменении тянущего поля в двумерной сверхрешетке с аддитивным спектром. Показано, что при совпадении ширины мини-зоны в продольном и поперечном направлениях при достижении тянущим полем некоторого порогового значения возникают два равновероятные состояния системы, соответствующие возникновению поперечного поля разных знаков, что приводит к излому на продольной вольт-амперной характеристике. При отклонении от равенства ширин мини-зоны одно из этих состояний становится энергетически более предпочтительным, но при некотором импульсном воздействии система может перейти во второе состояние, что приводит к скачкообразному изменению продольного тока в сверхрешетке.
Ключевые слова: двумерная сверхрешетка, спонтанное возникновение электрического поля, псевдотермодинамический потенциал.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.2797.2017/4.6
Российский фонд фундаментальных исследований 19-42-343006 р_мол_а
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки России на выполнение государственных работ в сфере научной деятельности в рамках проектной части государственного задания, код проекта 3.2797.2017/4.6, и поддержана грантом РФФИ 19-42-343006 р_мол_а.
Поступила в редакцию: 04.02.2019
Исправленный вариант: 18.06.2019
Принята в печать: 18.06.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 11, Pages 1496–1499
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619110241
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Завьялов, В. И. Конченков, С. В. Крючков, “Анизотропные триггерные электрические свойства двумерных сверхрешеток”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1527–1531; Semiconductors, 53:11 (2019), 1496–1499
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZavKonKry19}
\by Д.~В.~Завьялов, В.~И.~Конченков, С.~В.~Крючков
\paper Анизотропные триггерные электрические свойства двумерных сверхрешеток
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1527--1531
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5359}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48449.9076}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41300653}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1496--1499
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619110241}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5359
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i11/p1527
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024