|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Структура и электрические свойства тонких пленок (ZnO/SiO$_{2}$)$_{25}$
М. Н. Волочаевa, Ю. Е. Калининb, М. А. Каширинb, В. А. Макагоновb, С. Ю. Панковb, В. В. Бассарабb a Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
b Воронежский государственный технический университет
Аннотация:
В едином процессе напыления были синтезированы многослойные тонкопленочные образцы (ZnO/SiO$_{2}$)$_{25}$, состоящие из слоев нанокристаллического ZnO и прослоек аморфного SiO$_{2}$, с толщиной бислоя от 6 до 10 нм. Из анализа температурных зависимостей удельного электрического сопротивления тонких пленок (ZnO/SiO$_{2}$)$_{25}$ было установлено, что в диапазоне температур 77–300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма проводимости от прыжкового с переменной длиной прыжка в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми при температурах 77–250 K к термоактивированной примесной проводимости при температурах, близких к комнатной. По результатам исследования температурных зависимостей электрического сопротивления сделаны оценки эффективной плотности локализованных состояний на уровне Ферми и значений энергии активации примесных уровней. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. Было обнаружено, что в тонкопленочных системах (ZnO/SiO$_{2}$)$_{25}$ при температурах 580–600$^\circ$C происходит химическое взаимодействие между слоями ZnO и SiO$_{2}$, сопровождающееся разрушением многослойной структуры и появлением химического соединения Zn$_{2}$SiO$_{4}$ с тетрагональной структурой (пространственная группа I-42$d$).
Ключевые слова:
тонкие пленки, многослойные структуры, оксидные полупроводники, прыжковая проводимость, термическая стабильность.
Поступила в редакцию: 04.06.2019 Исправленный вариант: 25.06.2019 Принята в печать: 25.06.2019
Образец цитирования:
М. Н. Волочаев, Ю. Е. Калинин, М. А. Каширин, В. А. Макагонов, С. Ю. Панков, В. В. Бассараб, “Структура и электрические свойства тонких пленок (ZnO/SiO$_{2}$)$_{25}$”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1505–1511; Semiconductors, 53:11 (2019), 1465–1471
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5355 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i11/p1505
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 47 | PDF полного текста: | 45 |
|