Структура и электрические свойства тонких пленок (ZnO/SiO$_{2}$)$_{25}$

В едином процессе напыления были синтезированы многослойные тонкопленочные образцы (ZnO/SiO$_{2}$)$_{25}$, состоящие из слоев нанокристаллического ZnO и прослоек аморфного SiO$_{2}$, с толщиной бислоя от 6 до 10 нм. Из анализа температурных зависимостей удельного электрического сопротивления тонких пленок (ZnO/SiO$_{2}$)$_{25}$ было установлено, что в диапазоне температур 77–300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма проводимости от прыжкового с переменной длиной прыжка в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми при температурах 77–250 K к термоактивированной примесной проводимости при температурах, близких к комнатной. По результатам исследования температурных зависимостей электрического сопротивления сделаны оценки эффективной плотности локализованных состояний на уровне Ферми и значений энергии активации примесных уровней. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. Было обнаружено, что в тонкопленочных системах (ZnO/SiO$_{2}$)$_{25}$ при температурах 580–600$^\circ$C происходит химическое взаимодействие между слоями ZnO и SiO$_{2}$, сопровождающееся разрушением многослойной структуры и появлением химического соединения Zn$_{2}$SiO$_{4}$ с тетрагональной структурой (пространственная группа I-42$d$).