Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11, страницы 1485–1496
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48462.8991 (Mi phts5353) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Механизм генерации синглетного кислорода на поверхности возбужденного нанопористого кремния

Д. М. Самосват, О. П. Чикалова-Лузина, Г. Г. Зегря

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (265 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48462.8991
Аннотация: Представлен теоретический анализ механизма генерации синглетного кислорода на поверхности фотовозбужденного нанопористого кремния. Показано, что в основе механизма генерации синглетного кислорода лежит безызлучательный перенос энергии от нанопористого кремния к молекуле кислорода по обменному механизму Декстера. Получено аналитическое выражение, и дана численная оценка вероятности переноса энергии от нанопористого кремния к молекуле кислорода. Показано, что ее численное значение $\sim$(10$^{3}$–10$^{4}$) с$^{-1}$ достаточно хорошо согласуется с экспериментом.
Ключевые слова: нанопористый кремний, синглетный кислород, перенос энергии.
Поступила в редакцию: 03.10.2018
Исправленный вариант: 18.02.2019
Принята в печать: 03.06.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 11, Pages 1445–1456
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619110162
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. М. Самосват, О. П. Чикалова-Лузина, Г. Г. Зегря, “Механизм генерации синглетного кислорода на поверхности возбужденного нанопористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1485–1496; Semiconductors, 53:11 (2019), 1445–1456
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SamChiZeg19}
\by Д.~М.~Самосват, О.~П.~Чикалова-Лузина, Г.~Г.~Зегря
\paper Механизм генерации синглетного кислорода на поверхности возбужденного нанопористого кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1485--1496
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5353}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48462.8991}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41300647}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1445--1456
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619110162}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5353
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i11/p1485
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024