Квантовые поправки и магнитотранспорт в пленках 3D дираковского полуметалла Cd$_{3-x}$Mn$_{x}$As$_{2}$

Исследовались тонкие пленки твердых растворов на основе трехмерного дираковского полуметалла Cd$_{3}$As$_{2}$ с добавлением марганца. Пленки Cd$_{3-x}$Mn$_{x}$As$_{2}$ ($x$ = 0, 0.05 и 0.1) толщиной 50–70 нм были получены на ситалловых подложках с помощью вакуумно-термического напыления из слитков арсенида кадмия, допированных Mn и изготовленных непосредственным сплавлением элементов вакуумно-ампульным методом. Были проведены измерения температурных и магнетополевых зависимостей сопротивления и определены транспортные параметры исследуемых пленок. В пленках с $x$ = 0 и 0.05 наблюдалось положительное магнетосопротивление характерной формы, соответствующее вкладу эффекта слабой антилокализации. При большем содержании Mn ($x$ = 0.1) наблюдался вклад от эффекта слабой локализации. Подобная смена типа квантовой поправки, применительно к топологическим полуметаллам, указывает на перестройку зонной структуры и переход из состояния дираковского полуметалла в фазу тривиального полупроводника, который в данном случае соответствует критическому содержанию Mn $x_{c}\sim$ 0.07.