Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11, страницы 1459–1466
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48440.9141
(Mi phts5349)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Термический коэффициент движения резонансного уровня железа в сплавах Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$Fe$_{y}$Te

Е. П. Скипетровab, Б. Б. Ковалевa, Л. А. Скипетроваa, А. В. Кнотькоb, В. Е. Слынькоc

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, факультет наук о материалах
c Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев
Аннотация: Исследованы фазовый и элементный состав, температурные зависимости удельного сопротивления и коэффициента Холла (диапазон температур 4.2 $\le T\le$ 300 K, магнитные поля B $\le$ 0.07 Тл) в сплавах Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$Fe$_{y}$Te при вариации состава матрицы и концентрации примеси железа вдоль монокристаллических слитков, синтезированных методом Бриджмена–Стокбаргера. Получены распределения олова и железа вдоль слитков, и обнаружены аномальные температурные зависимости коэффициента Холла, связанные с пиннингом уровня Ферми резонансным уровнем железа, расположенным в валентной зоне сплавов. Анализ полученных экспериментальных результатов проведен в рамках модели перестройки электронной структуры, предполагающей движение уровня железа относительно потолка валентной зоны при увеличении концентрации олова и температуры. Определен термический коэффициент движения уровня железа относительно середины запрещенной зоны, и предложены возможные диаграммы перестройки электронной структуры с ростом температуры в сплавах с нормальным спектром (0.06 $\le x\le$ 0.35).
Ключевые слова: сплавы Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$Fe$_{y}$Te, гальваномагнитные эффекты, электронная структура, резонансный уровень железа.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00774
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 19-02-00774).
Поступила в редакцию: 15.04.2019
Исправленный вариант: 22.04.2019
Принята в печать: 22.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 11, Pages 1419–1426
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619110186
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. П. Скипетров, Б. Б. Ковалев, Л. А. Скипетрова, А. В. Кнотько, В. Е. Слынько, “Термический коэффициент движения резонансного уровня железа в сплавах Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$Fe$_{y}$Te”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1459–1466; Semiconductors, 53:11 (2019), 1419–1426
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SkiKovSki19}
\by Е.~П.~Скипетров, Б.~Б.~Ковалев, Л.~А.~Скипетрова, А.~В.~Кнотько, В.~Е.~Слынько
\paper Термический коэффициент движения резонансного уровня железа в сплавах Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$Fe$_{y}$Te
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1459--1466
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5349}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48440.9141}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41300643}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1419--1426
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619110186}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5349
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i11/p1459
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024