|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Термический коэффициент движения резонансного уровня железа в сплавах Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$Fe$_{y}$Te
Е. П. Скипетровab, Б. Б. Ковалевa, Л. А. Скипетроваa, А. В. Кнотькоb, В. Е. Слынькоc a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, факультет наук о материалах
c Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев
Аннотация:
Исследованы фазовый и элементный состав, температурные зависимости удельного сопротивления и коэффициента Холла (диапазон температур 4.2 $\le T\le$ 300 K, магнитные поля B $\le$ 0.07 Тл) в сплавах Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$Fe$_{y}$Te при вариации состава матрицы и концентрации примеси железа вдоль монокристаллических слитков, синтезированных методом Бриджмена–Стокбаргера. Получены распределения олова и железа вдоль слитков, и обнаружены аномальные температурные зависимости коэффициента Холла, связанные с пиннингом уровня Ферми резонансным уровнем железа, расположенным в валентной зоне сплавов. Анализ полученных экспериментальных результатов проведен в рамках модели перестройки электронной структуры, предполагающей движение уровня железа относительно потолка валентной зоны при увеличении концентрации олова и температуры. Определен термический коэффициент движения уровня железа относительно середины запрещенной зоны, и предложены возможные диаграммы перестройки электронной структуры с ростом температуры в сплавах с нормальным спектром (0.06 $\le x\le$ 0.35).
Ключевые слова:
сплавы Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$Fe$_{y}$Te, гальваномагнитные эффекты, электронная структура, резонансный уровень железа.
Поступила в редакцию: 15.04.2019 Исправленный вариант: 22.04.2019 Принята в печать: 22.04.2019
Образец цитирования:
Е. П. Скипетров, Б. Б. Ковалев, Л. А. Скипетрова, А. В. Кнотько, В. Е. Слынько, “Термический коэффициент движения резонансного уровня железа в сплавах Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$Fe$_{y}$Te”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1459–1466; Semiconductors, 53:11 (2019), 1419–1426
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5349 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i11/p1459
|
|