Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 12, страницы 1721–1725
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48634.9068 (Mi phts5342) 		 
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Осаждение аморфных и микрокристаллических пленок кремния газоструйным плазмохимическим методом

В. Г. Щукин, В. О. Константинов, Р. Г. Шарафутдинов

Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук
PDF полного текста (204 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48634.9068
Аннотация: Газоструйным плазмохимическим методом с активацией газа электронным пучком получены равномерные тонкие пленки аморфного и микрокристаллического кремния в форвакуумном диапазоне давлений. Исследовано влияние расхода газа-носителя аргона, концентрации моносилана, давления в реакционной камере, материала подложки и величины тока активирующего электронного пучка на скорость осаждения, фоточувствительность и кристалличность слоев кремния. Для пленок аморфного кремния достигнуты скорости осаждения $>$ 1 нм/с, а для слоев с кристалличностью, превышающей 60%, скорость осаждения превысила 0.6 нм/с. Установлено, что материал подложки не влияет на структуру осаждаемых слоев кремния и скорость их осаждения.
Ключевые слова: плазмохимическое осаждение, газовые струи, тонкие пленки, аморфный и микрокристаллический кремний.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-48-540665 р_а
Министерство образования и науки Российской Федерации 0322-2018-0005
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований и Министерства образования, науки и инновационной политики Новосибирской области, Конкурс проектов 2017 года фундаментальных научных исследований, проводимый РФФИ и субъектами Российской Федерации, 17-48-540665 р_а, а также Министерства образования и науки Российской Федерации, Проект III.18.2.5: Фундаментальные теплофизические основы получения совершенных монокристаллов и пленок, Гос. рег. АААА-А17-117022850021-3, ГЗ 0322-2018-0005.
Поступила в редакцию: 21.01.2019
Исправленный вариант: 24.06.2019
Принята в печать: 26.07.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 12, Pages 1712–1716
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619160255
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Г. Щукин, В. О. Константинов, Р. Г. Шарафутдинов, “Осаждение аморфных и микрокристаллических пленок кремния газоструйным плазмохимическим методом”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1721–1725; Semiconductors, 53:12 (2019), 1712–1716
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShcKonSha19}
\by В.~Г.~Щукин, В.~О.~Константинов, Р.~Г.~Шарафутдинов
\paper Осаждение аморфных и микрокристаллических пленок кремния газоструйным плазмохимическим методом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1721--1725
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5342}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48634.9068}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848206}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1712--1716
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619160255}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5342
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i12/p1721
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024