Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 12, страницы 1669–1673
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48624.9176 (Mi phts5332) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Определение параметров латерального и нестационарного шнурового токов в цилиндрическом халькогенидном стеклообразном полупроводнике

Н. В. Совтус, К. Д. Мынбаев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (188 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48624.9176
Аннотация: Для полупроводниковой системы Ge–Sb–Te цилиндрической конфигурации приближенно решено уравнение теплопроводности, описывающее токовый шнур в полупроводнике. Показано, что при бесконечно больших временах ток в шнуре пропорционален квадрату максимальной температуры в центре шнура и обратно пропорционален величине приложенного электрического поля. Оценен масштаб латерального тока, протекающего перпендикулярно току основного шнура, и установлено, что латеральный ток мал по сравнению с током, протекающим в шнуре, так что возникновение латеральных шнуров, растущих из основного шнура, мало вероятно.
Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, эффект памяти, шнурование тока, латеральный ток.
Поступила в редакцию: 29.05.2019
Исправленный вариант: 08.07.2019
Принята в печать: 10.07.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 12, Pages 1651–1655
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619160279
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Совтус, К. Д. Мынбаев, “Определение параметров латерального и нестационарного шнурового токов в цилиндрическом халькогенидном стеклообразном полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1669–1673; Semiconductors, 53:12 (2019), 1651–1655
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SovMyn19}
\by Н.~В.~Совтус, К.~Д.~Мынбаев
\paper Определение параметров латерального и нестационарного шнурового токов в цилиндрическом халькогенидном стеклообразном полупроводнике
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1669--1673
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5332}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48624.9176}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848193}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1651--1655
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619160279}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5332
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i12/p1669
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024