Перенос заряда в планарных структурах на основе халькогенидной системы (As$_{2}$Se$_{3}$)$_{100-x}$Bi$_{x}$

Представлены результаты исследования процессов переноса заряда в тонких слоях стеклообразной системы (As$_{2}$Se$_{3}$)$_{100-x}$Bi$_{x}$. Обнаружена степенная зависимость удельной проводимости от частоты и уменьшение значения показателя степени s с ростом температуры. Перенос заряда является термически активированным процессом с наличием двух участков на температурной зависимости проводимости с энергиями активации $E_{1}$=0.12 $\pm$ 0.01 и $E_{2}$ = 0.23 $\pm$ 0.01 эВ соответственно. Полученные результаты объясняются в рамках CBH модели прыжковой проводимости в неупорядоченных системах. Проведен расчет основных микропараметров системы: плотности локализованных состояний $(N)$, длины прыжка $(R_{\omega})$, максимального значения высоты потенциального барьера $(W_{M})$.