Влияние примеси самария на локальную структуру халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_{5}$ и механизм прохождения тока через структуры Al–Se$_{95}$Te$_{5}\langle\mathrm{Sm}\rangle$–Te

Методами рентгеноструктурного анализа и атомно-силовой микроскопии исследовано влияние легирования самарием на локальную структуру и морфологические особенности поверхности пленок ХСП системы Se$_{95}$Te$_{5}$, а также измерением вольт-амперных характеристик в стационарном режиме рассмотрено влияние легирования на механизм токопрохождения через структуры Al–Se$_{95}$Te$_{5}\langle\mathrm{Sm}\rangle$–Te. Интерпретация полученных результатов проведена на основе теории инжекционных токов Ламперта, пустотно-кластерной модели Эллиота и модели заряженных дефектов Мотта и Стрита, предложенных для халькогенидных стекол.