Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 12, страницы 1641–1645
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48618.9198
(Mi phts5326)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрон-фононное взаимодействие в квантовых ямах на основе одноосных материалов

А. Ю. Маслов, О. В. Прошина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Теоретически исследовано взаимодействие заряженных частиц с интерфейсными оптическими фононами в квантовых ямах, изготовленных с использованием одноосных материалов. Показано, что характер такого взаимодействия существенно зависит от степени анизотропии фононного спектра материалов квантовой ямы и барьеров. При сильной анизотропии взаимодействие оказывается значительно меньше, чем в аналогичных структурах, изготовленных из материалов кубической симметрии. В случае слабой фононной анизотропии найдены условия, при которых взаимодействие заряженных частиц с оптическими фононами можно описывать константой связи фрелиховского типа. При этом в различных структурах может реализоваться как слабое, так и сильное электрон-фононное взаимодействие. Полученные результаты расширяют возможности оптической диагностики квантовых наноструктур.
Ключевые слова: квантовая яма, одноосные материалы, интерфейсные оптические фононы, электрон-фононное взаимодействие, полярон.
Поступила в редакцию: 25.06.2019
Исправленный вариант: 23.07.2019
Принята в печать: 25.07.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 12, Pages 1617–1621
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619160164
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ю. Маслов, О. В. Прошина, “Электрон-фононное взаимодействие в квантовых ямах на основе одноосных материалов”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1641–1645; Semiconductors, 53:12 (2019), 1617–1621
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MasPro19}
\by А.~Ю.~Маслов, О.~В.~Прошина
\paper Электрон-фононное взаимодействие в квантовых ямах на основе одноосных материалов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1641--1645
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5326}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48618.9198}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848186}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1617--1621
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619160164}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5326
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i12/p1641
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:32
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024