Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 12, страницы 1621–1624
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48614.9221 (Mi phts5322) 		 
Электронные свойства полупроводников

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn$_{7}$S$_{12}$

И. В. Боднарьa, Б. Т. Чанa, В. Н. Павловскийb, И. Е. Свитенковb, Г. П. Яблонскийb

a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
b Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
PDF полного текста (259 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48614.9221
Аннотация: Направленной кристаллизацией расплава выращены монокристаллы MnAgIn$_{7}$S$_{12}$ диаметром 16 и длиной $\sim$40 мм, определены их состав и структура. Показано, что выращенный материал кристаллизуется в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в области края фундаментального поглощения в интервале температур 10–320 K определена ширина запрещенной зоны $E_{g}$ монокристаллов и построена ее температурная зависимость. Полученная зависимость имеет вид, характерный для большинства полупроводниковых материалов: с понижением температуры $E_{g}$ возрастает. Проведен расчет, и показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.
Ключевые слова: монокристаллы, кубическая структура шпинели, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.
Финансовая поддержка Номер гранта
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований Ф16-028
Работа выполнена при поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (проект Ф16-028).
Поступила в редакцию: 23.07.2019
Исправленный вариант: 29.07.2019
Принята в печать: 29.07.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 12, Pages 1593–1596
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261916005X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Боднарь, Б. Т. Чан, В. Н. Павловский, И. Е. Свитенков, Г. П. Яблонский, “Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn$_{7}$S$_{12}$”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1621–1624; Semiconductors, 53:12 (2019), 1593–1596
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BonChaPav19}
\by И.~В.~Боднарь, Б.~Т.~Чан, В.~Н.~Павловский, И.~Е.~Свитенков, Г.~П.~Яблонский
\paper Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn$_{7}$S$_{12}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1621--1624
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5322}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48614.9221}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848182}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1593--1596
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261916005X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5322
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i12/p1621
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:54
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024