|
Физика полупроводниковых приборов
Неодномерный эффект $dU/dt$ в мощных тиристорах
С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
Аннотация:
Описана методика, позволяющая учесть влияние элементов конструкции мощного тиристора на его $dU/dt$-стойкость. Предложена простая модель, с помощью которой можно найти параметры вспомогательной тиристорной структуры регенеративного управляющего электрода, обеспечивающие заданную стойкость тиристора к эффекту $dU/dt$. Найдена минимально возможная величина отпирающего тока управления тиристора, ограниченная заданной величиной предельной скорости нарастания напряжения.
Ключевые слова:
мощный тиристор, элементы конструкции, эффект dU/dt, отпирающий ток управления.
Поступила в редакцию: 11.04.2019 Исправленный вариант: 23.07.2019 Принята в печать: 29.08.2019
Образец цитирования:
С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, “Неодномерный эффект $dU/dt$ в мощных тиристорах”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 69–73; Semiconductors, 54:1 (2020), 112–116
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5309 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p69
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 36 |
|