Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 69–73
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48777.9137
(Mi phts5309)
 

Физика полупроводниковых приборов

Неодномерный эффект $dU/dt$ в мощных тиристорах

С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев

Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
Аннотация: Описана методика, позволяющая учесть влияние элементов конструкции мощного тиристора на его $dU/dt$-стойкость. Предложена простая модель, с помощью которой можно найти параметры вспомогательной тиристорной структуры регенеративного управляющего электрода, обеспечивающие заданную стойкость тиристора к эффекту $dU/dt$. Найдена минимально возможная величина отпирающего тока управления тиристора, ограниченная заданной величиной предельной скорости нарастания напряжения.
Ключевые слова: мощный тиристор, элементы конструкции, эффект dU/dt, отпирающий ток управления.
Поступила в редакцию: 11.04.2019
Исправленный вариант: 23.07.2019
Принята в печать: 29.08.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 112–116
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010273
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, “Неодномерный эффект $dU/dt$ в мощных тиристорах”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 69–73; Semiconductors, 54:1 (2020), 112–116
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YurМnaTan20}
\by С.~Н.~Юрков, Т.~Т.~Мнацаканов, А.~Г.~Тандоев
\paper Неодномерный эффект $dU/dt$ в мощных тиристорах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 69--73
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5309}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48777.9137}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571073}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 112--116
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010273}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5309
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p69
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:36
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024