Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страница 57 (Mi phts5305)  

Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Carbon nanotubes and graphene powder based multifunctional pressure, displacement and gradient of temperature sensors

Muhammad Tariq Saeed Chaniab, Khasan S. Karimovcd, Abdullah M. Asiriab

a Center of Excellence for Advanced Materials Research, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia
b Department of Chemistry, King Abdulaziz University
c Ghulam Ishaq Khan Institute of Engineering Sciences and Technology
d Center for Innovative Development of Science and New Technologies of Academy of Sciences, Rudaki Ave.33, Dushanbe, 734025, Republic of Tajikistan
Аннотация: This work presents the fabrication and investigation of the multiwalled carbon nanotubes (MWCNTs) and graphene pristine powders based multifunctional pressure, displacement and gradient of temperature sensors. The effect of pressure on the resistance, Seebeck coefficient, thermoelectric voltage and current of the sensors was measured by changing pressure from 0 to 1.65 kgf/cm$^{2}$, while the effect of temperature gradient on the resistance, thermoelectric voltage and current of the sensors was measured up to the temperature gradient of 34–36$^\circ$C. Dependence of the resistance on longitudinal compressive displacement up to 100 $\mu$m was investigated. It was found that the resistance, Seebeck coefficient and thermoelectric voltage of the CNT and graphene powders decreased with increasing pressure, while the thermoelectric current increased with pressure. Moreover, with increasing temperature gradient and average temperature a considerable increase was observed in thermoelectric current and voltage, while the increase in resistances was moderate. The increase in longitudinal displacement resulted in the compression of the samples that caused to decrease the resistances of the samples, especially in the case of samples made from CNT and graphene both. The simulation of the experimental results was carried out by using of linear functions and the results of simulations were in good agreement with experimental results.
Ключевые слова: carbon nanotubes, graphene, multifunctional sensor, pressure, temperature gradient.
Финансовая поддержка Номер гранта
King Abdulaziz University G-1501-130-40
This project was funded by the Deanship of Scientific Research (DSR) at King Abdulaziz University, under grant no. G-1501-130-40. The authors, therefore, acknowledge with thanks the DSR technical and financial support.
Поступила в редакцию: 08.04.2019
Исправленный вариант: 06.08.2019
Принята в печать: 09.08.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 85–90
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010170
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Muhammad Tariq Saeed Chani, Khasan S. Karimov, Abdullah M. Asiri, “Carbon nanotubes and graphene powder based multifunctional pressure, displacement and gradient of temperature sensors”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 57; Semiconductors, 54:1 (2020), 85–90
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ChaKarAsi20}
\by Muhammad~Tariq~Saeed~Chani, Khasan~S.~Karimov, Abdullah~M.~Asiri
\paper Carbon nanotubes and graphene powder based multifunctional pressure, displacement and gradient of temperature sensors
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 57
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5305}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571069}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 85--90
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010170}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5305
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p57
  • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024