Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страница 56 (Mi phts5304)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Performance enhancement of GeSn transistor laser with symmetric and asymmetric multiple quantum well in the base

Soumava Ghosh, Bratati Mukhopadhyay, G. Sen

Institute of Radio Physics and Electronics, Kolkata, India
PDF полного текста (25 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: The performance of a Multiple Quantum Well (MQW) Heterojunction Bipolar Transistor Laser (HBTL) has been studied using GeSn alloy. Both symmetric and asymmetric quantum wells have been considered. Main analysis is focused on finding the minority carrier concentration in the base, the base threshold current, light output power of the device and the values are compared with GeSn based Single Quantum Well and InGaAs based Multiple Quantum Well Transistor Laser.
Ключевые слова: HBTL, SQW, S-MQW, A-MQW.
Финансовая поддержка Номер гранта
Government of India GITA/DST/TWN/P-63/2015
Junior Research Fellowship (JRF), India
This work is supported under India-Taiwan Program in Science and Technology, Project no. GITA/DST/TWN/P-63/2015 by Department of Science and Technology (DST), Govt. of India. The first author (SG) receives financial support from this project under the Junior Research Fellowship (JRF) award.
Поступила в редакцию: 19.07.2019
Исправленный вариант: 06.08.2019
Принята в печать: 06.08.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 77–84
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010212
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Soumava Ghosh, Bratati Mukhopadhyay, G. Sen, “Performance enhancement of GeSn transistor laser with symmetric and asymmetric multiple quantum well in the base”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 56; Semiconductors, 54:1 (2020), 77–84
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GhoMukSen20}
\by Soumava~Ghosh, Bratati~Mukhopadhyay, G.~Sen
\paper Performance enhancement of GeSn transistor laser with symmetric and asymmetric multiple quantum well in the base
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 56
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5304}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571068}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 77--84
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010212}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5304
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p56
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024