Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страница 55 (Mi phts5303)  

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Hydrothermal growth of undoped and Zn-doped SnO nanocrystals: a frequency dependence of AC conductivity and dielectric response studies

A. Viswanath Gowd, R. Thangavel

Department of Applied Physics, Indian Institute of Technology (Indian School of Mines), Dhanbad, India
Аннотация: The aim of this work is to investigate the dielectric properties of undoped and Zn-doped Tin monoxide (SnO) nanocrystals synthesized by the hydrothermal technique. The prepared nanocrystals were made as pellet and characterized by using the LCR meter at various temperatures range from 313 to 373 K for undoped samples and at room temperature for Zn-doped samples in the frequency ranging from 50 Hz to 20 KHz and 50 Hz to 1 MHz respectively. The increase in measurement temperatures of undoped samples reveals the increase in dielectric constant in accordance with the frequency. The activation energy of 0.58 meV has calculated using the Arrhenius plot of DC conductivity at various temperatures. The dielectric loss and dielectric constant values were decreased with the increasing Zn doping concentration but the ac electrical conductivity increases as a function of frequency and also decreases with respect to dopant concentration.
Ключевые слова: SnO, nanomaterials, powder technology, Hydrothermal synthesis, dielectric properties.
Финансовая поддержка Номер гранта
Government of India SR/FTP/PS—184/2012
This work was carried out within the framework of Department of Science and Technology (DST) project under the young scientist grant no. SR/FTP/PS—184/2012, SERB vide Dy. no. SERB/f/5439/2013-14. The authors acknowledge Dr. Sanjeev Kumar, PEC University of Technology, Chandigarh and Dr. R.B. Choudhury, IIT(ISM), Dhanbad for providing dielectric measurement facilities.
Поступила в редакцию: 08.04.2019
Исправленный вариант: 08.04.2019
Принята в печать: 06.08.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 73–76
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010261
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. Viswanath Gowd, R. Thangavel, “Hydrothermal growth of undoped and Zn-doped SnO nanocrystals: a frequency dependence of AC conductivity and dielectric response studies”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 55; Semiconductors, 54:1 (2020), 73–76
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VisTha20}
\by A.~Viswanath Gowd, R.~Thangavel
\paper Hydrothermal growth of undoped and Zn-doped SnO nanocrystals: a frequency dependence of AC conductivity and dielectric response studies
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 55
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5303}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571067}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 73--76
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010261}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5303
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p55
  • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024