|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Исследование мощности люминесценции экситонов и примесно-дефектных центров, возбуждаемых с помощью двухфотонного поглощения
А. А. Гладилин, В. П. Данилов, Н. Н. Ильичев, В. П. Калинушкин, М. И. Студеникин, О. В. Уваров, В. А. Чапнин, А. В. Рябова, А. В. Сидорин, Э. С. Гулямова, В. В. Туморин, П. П. Пашинин Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
Аннотация:
На примере монокристаллов ZnSe : Fe$^{2+}$ экспериментально и теоретически исследуется влияние средней мощности фемтосекундного лазерного излучения на среднюю мощность люминесценции экситонов и примесно-дефектных центров при двухфотонном возбуждении электронной системы кристалла. Экспериментально показано, что средняя мощность люминесценции экситонов кристалла в исследованном диапазоне мощностей возбуждения пропорциональна 4-й степени средней мощности возбуждающего излучения. Средняя мощность люминесценции примесно-дефектных центров имеет квадратичный характер. Построена теория, объясняющая наблюдаемые экспериментально зависимости. Отмечается, что характер зависимости люминесценции кристалла от мощности накачки при двухфотонном возбуждении может быть использован для оценки степени загрязнения кристалла примесно-дефектными центрами.
Ключевые слова:
полупроводники, двухфотонное возбуждение люминесценции.
Поступила в редакцию: 18.04.2019 Исправленный вариант: 03.09.2019 Принята в печать: 04.09.2019
Образец цитирования:
А. А. Гладилин, В. П. Данилов, Н. Н. Ильичев, В. П. Калинушкин, М. И. Студеникин, О. В. Уваров, В. А. Чапнин, А. В. Рябова, А. В. Сидорин, Э. С. Гулямова, В. В. Туморин, П. П. Пашинин, “Исследование мощности люминесценции экситонов и примесно-дефектных центров, возбуждаемых с помощью двухфотонного поглощения”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 48–54; Semiconductors, 54:1 (2020), 67–72
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5302 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p48
|
|