Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 48–54
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48770.9143 (Mi phts5302) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Исследование мощности люминесценции экситонов и примесно-дефектных центров, возбуждаемых с помощью двухфотонного поглощения

А. А. Гладилин, В. П. Данилов, Н. Н. Ильичев, В. П. Калинушкин, М. И. Студеникин, О. В. Уваров, В. А. Чапнин, А. В. Рябова, А. В. Сидорин, Э. С. Гулямова, В. В. Туморин, П. П. Пашинин

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
PDF полного текста (254 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48770.9143
Аннотация: На примере монокристаллов ZnSe : Fe$^{2+}$ экспериментально и теоретически исследуется влияние средней мощности фемтосекундного лазерного излучения на среднюю мощность люминесценции экситонов и примесно-дефектных центров при двухфотонном возбуждении электронной системы кристалла. Экспериментально показано, что средняя мощность люминесценции экситонов кристалла в исследованном диапазоне мощностей возбуждения пропорциональна 4-й степени средней мощности возбуждающего излучения. Средняя мощность люминесценции примесно-дефектных центров имеет квадратичный характер. Построена теория, объясняющая наблюдаемые экспериментально зависимости. Отмечается, что характер зависимости люминесценции кристалла от мощности накачки при двухфотонном возбуждении может быть использован для оценки степени загрязнения кристалла примесно-дефектными центрами.
Ключевые слова: полупроводники, двухфотонное возбуждение люминесценции.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 5
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00294
18-29-20048
Работа выполнена с использованием оборудования центра коллективного пользования “Технологический и диагностический центр для производства, исследования и аттестации микро- и наноструктур” Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН при финансовой поддержке в рамках программы президиума РАН № 5 “Фотонные технологии в зондировании неоднородных сред и биообъектов”, а также при частичной поддержке грантами РФФИ № 19-02-00294 и 18-29-20048.
Поступила в редакцию: 18.04.2019
Исправленный вариант: 03.09.2019
Принята в печать: 04.09.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 67–72
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010091
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Гладилин, В. П. Данилов, Н. Н. Ильичев, В. П. Калинушкин, М. И. Студеникин, О. В. Уваров, В. А. Чапнин, А. В. Рябова, А. В. Сидорин, Э. С. Гулямова, В. В. Туморин, П. П. Пашинин, “Исследование мощности люминесценции экситонов и примесно-дефектных центров, возбуждаемых с помощью двухфотонного поглощения”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 48–54; Semiconductors, 54:1 (2020), 67–72
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GlaDanIli20}
\by А.~А.~Гладилин, В.~П.~Данилов, Н.~Н.~Ильичев, В.~П.~Калинушкин, М.~И.~Студеникин, О.~В.~Уваров, В.~А.~Чапнин, А.~В.~Рябова, А.~В.~Сидорин, Э.~С.~Гулямова, В.~В.~Туморин, П.~П.~Пашинин
\paper Исследование мощности люминесценции экситонов и примесно-дефектных центров, возбуждаемых с помощью двухфотонного поглощения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 48--54
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5302}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48770.9143}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571066}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 67--72
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010091}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5302
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p48
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:66
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024