Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страница 44 (Mi phts5298)  

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Band gap opening of doped graphene stone wales defects: simulation study

Jamal A. Talla

Department of Physics, Al al-Bayt University, Al-Mafraq, Jordan
Аннотация: We implemented density functional theory to investigate the electronic properties of doped graphene Stone Wales defects. We found that the band gap of nitrogen doped graphene with different orientations of Stone Wales defect could be tuned. The obtained band gap results strongly depend not only on the specific location of the doped atom, but also on the orientations of Stone Wales defects. The symmetrical density of states is an indication that the total magnetic moment was zero as the valence electrons grouped in pairs. In addition, we performed charge analysis for all nitrogen doped graphene Stone Wales defects structures and it can be observed that the carbon atoms are more electronegative compared to nitrogen atoms, which obtain all the valence electrons. The transferred charge from nitrogen atom is largely localized on the carbon atoms lying in close proximity of the dopant atom.
Ключевые слова: graphene, Stone Wales defects, nitrogen doping, electronic properties, density functional theory and charge density.
Поступила в редакцию: 10.07.2019
Исправленный вариант: 06.08.2019
Принята в печать: 12.08.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 40–45
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010236
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Jamal A. Talla, “Band gap opening of doped graphene stone wales defects: simulation study”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 44; Semiconductors, 54:1 (2020), 40–45
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Tal20}
\by Jamal~A.~Talla
\paper Band gap opening of doped graphene stone wales defects: simulation study
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 44
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5298}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571062}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 40--45
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010236}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5298
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p44
  • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024