Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 36–43
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48766.9106 (Mi phts5297) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Высокочастотная проводимость неупорядоченных полупроводников в области перехода от линейной к квадратичной частотной зависимости

М. А. Ормонт, И. П. Звягин

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
PDF полного текста (176 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48766.9106
Аннотация: Рассмотрены особенности высокочастотной проводимости неупорядоченных полупроводников, связанные с прыжковым транспортом электронов по примесной зоне. В рамках парного приближения проведен расчет частотной зависимости вещественной части низкотемпературной бесфононной проводимости в области перехода (кроссовера) от линейной к квадратичной частотной зависимости проводимости. Показано, что кроссовер в терагерцовом диапазоне частот связан с переходом от режима проводимости с переменной длиной прыжка к режиму проводимости с постоянной длиной прыжка с ростом частоты.
Ключевые слова: высокочастотная прыжковая проводимость, универсальность частотной зависимости проводимости, неупорядоченные полупроводники.
Поступила в редакцию: 18.03.2019
Исправленный вариант: 02.09.2019
Принята в печать: 05.09.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 33–39
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010194
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Ормонт, И. П. Звягин, “Высокочастотная проводимость неупорядоченных полупроводников в области перехода от линейной к квадратичной частотной зависимости”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 36–43; Semiconductors, 54:1 (2020), 33–39
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OrmZvy20}
\by М.~А.~Ормонт, И.~П.~Звягин
\paper Высокочастотная проводимость неупорядоченных полупроводников в области перехода от линейной к квадратичной частотной зависимости
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 36--43
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5297}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48766.9106}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571061}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 33--39
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010194}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5297
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p36
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024