Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 18–21
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48762.9119 (Mi phts5293) 		 
Электронные свойства полупроводников

Параметры полупроводниковых пленок ZnO, легированных 3$d$-примесями Mn, Fe

М. М. Мездрогинаa, А. Я. Виноградовa, Ю. В. Кожановаb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (148 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48762.9119
Аннотация: Исследовано влияние примесей Fe, Mn на магнитные параметры широкозонных полупроводниковых пленок ZnO, полученных методом высокочастотного распыления при широком варьировании концентрации дефектов. Введение магнитных примесей Mn, Fe приводит наличию магнитоупорядоченного состояния в полупроводниковой матрице с различным положением оси легкого намагничивания, расположенной в случае легирования Mn перпендикулярно плоскости пленки, в случае Fe – в плоскости пленки ZnO.
Ключевые слова: широкозонный полупроводник, пленки ZnO, металлические 3$d$ примеси Fe, Mn.
Поступила в редакцию: 28.03.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 15–18
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010145
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, “Параметры полупроводниковых пленок ZnO, легированных 3$d$-примесями Mn, Fe”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 18–21; Semiconductors, 54:1 (2020), 15–18
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MezVinKoz20}
\by М.~М.~Мездрогина, А.~Я.~Виноградов, Ю.~В.~Кожанова
\paper Параметры полупроводниковых пленок ZnO, легированных 3$d$-примесями Mn, Fe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 18--21
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5293}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48762.9119}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571057}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 15--18
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010145}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5293
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p18
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024