Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2, страница 217 (Mi phts5290)  

Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Investigation of the influences of post-thermal annealing on physical properties of TiO$_{2}$ thin films deposited by RF sputtering

H. E. Doghmanea, T. Touamab, A. Chelouchec, F. Challalid, B. Bordjie

a Laboratory of Semiconductors, University of Badji Mokhtar-Annaba, BP 12, Annaba 23000, Algeria
b Research Unit in Optics and Photonics (UROP), Centre for Development of Advanced Technologies (CDTA), University of Sétif 1, Sétif, 19000, Algeria
c Laboratory of Environmental Engineering, University of Bejaia, Bejaia 06000, Algeria
d aboratory of Sciences of Processes and Materials (LSPM), CNRS-UPR 3407, Paris 13 University, 99 Jean-Baptiste Clément Avenue, Villetaneuse 93430, France
e University of Larbi Ben M'hidi University of Oum El Bouaghi, Algeria
Аннотация: For this study, titanium dioxide (TiO$_{2}$) thin films were deposited on glass substrates at room temperature by the RF magnetron sputtering technique. The preparation parameters that offer better control and reproducibility of film fabrication were first optimized. Then, the effects of post-deposition annealing temperature at 350, 450, and 550$^\circ$C on the microstructure, surface morphology, and optical properties of the prepared films were investigated using $X$-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy (RS), scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM), and UV-Visible (UV-Vis) spectrophotometry. Interestingly, XRD analysis shows that as-deposited and annealed TiO$_{2}$ film possess anatase crystal structure only with a preferential orientation along the (101) plane. The intensity of the (101) diffraction peak and crystallite size are found to increase with increasing annealing temperature, which indicates an improvement in the crystallinity of the films. Raman spectra confirm that all samples possess anatase phase and the crystallinity is enhanced with increasing thermal annealing. From the analysis of SEM and AFM images, it is revealed that the heat treatment significantly affects the morphology, grain size, and surface roughness of the TiO$_{2}$ films. The UV-Vis spectroscopy analysis shows that as-deposited TiO$_{2}$ thin film is highly transparent in the visible region with an average transmittance about 84%, whereas the transmission decreases slightly with an increase in annealing temperature. Moreover, the optical band gap energy shows a red shift with increasing the annealing temperature.
Ключевые слова: TiO$_{2}$ thin films, RF sputtering, annealing temperature, structure and morphology, optoelectronic applications.
Поступила в редакцию: 09.05.2019
Исправленный вариант: 09.10.2019
Принята в печать: 09.10.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 2, Pages 268–273
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620020086
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: H. E. Doghmane, T. Touam, A. Chelouche, F. Challali, B. Bordji, “Investigation of the influences of post-thermal annealing on physical properties of TiO$_{2}$ thin films deposited by RF sputtering”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 217; Semiconductors, 54:2 (2020), 268–273
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DogTouChe20}
\by H.~E.~Doghmane, T.~Touam, A.~Chelouche, F.~Challali, B.~Bordji
\paper Investigation of the influences of post-thermal annealing on physical properties of TiO$_{2}$ thin films deposited by RF sputtering
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 217
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5290}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571102}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 268--273
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620020086}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5290
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p217
  • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024