|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Модель термополевой нестабильности $p$-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора
О. В. Александров Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Разработана новая количественная модель термополевой нестабильности $p$-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора. В основе модели лежит реакция депассивации поверхностных состояний на межфазной границе Si–SiO$_{2}$ и водородосодержащих дырочных ловушек вблизи межфазной границы Si–SiO$_{2}$ положительно заряженными ионами водорода H$^{+}$, накапливающимися в $p^{+}$-инверсном слое кремниевой подложки. Зависимости поверхностного и объемного зарядов в $p$-МОП-транзисторах от времени отрицательной термополевой нестабильности определяются кинетикой диффузии и дрейфа ионов H$^{+}$ из кремниевой подложки к межфазной границе Si–SiO$_{2}$. Влияние напряжения затвора на отрицательную термополевую нестабильность объясняется посредством влияния напряженности электрического поля на коэффициент сегрегации ионов H$^{+}$ на межфазной границе Si–SiO$_{2}$. Релаксация положительного объемного заряда, введенного в подзатворный диэлектрик при отрицательной термополевой нестабильности, описывается туннельной разрядкой оксидных ловушек электронами кремниевой подложки.
Ключевые слова:
МОП-транзистор, термополевая нестабильность, поверхностные состояния, оксидные ловушки, моделирование.
Поступила в редакцию: 21.03.2019 Исправленный вариант: 04.09.2019 Принята в печать: 16.09.2019
Образец цитирования:
О. В. Александров, “Модель термополевой нестабильности $p$-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 181–188; Semiconductors, 54:2 (2020), 233–239
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5284 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p181
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 24 |
|