Модель термополевой нестабильности $p$-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора

Разработана новая количественная модель термополевой нестабильности $p$-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора. В основе модели лежит реакция депассивации поверхностных состояний на межфазной границе Si–SiO$_{2}$ и водородосодержащих дырочных ловушек вблизи межфазной границы Si–SiO$_{2}$ положительно заряженными ионами водорода H$^{+}$, накапливающимися в $p^{+}$-инверсном слое кремниевой подложки. Зависимости поверхностного и объемного зарядов в $p$-МОП-транзисторах от времени отрицательной термополевой нестабильности определяются кинетикой диффузии и дрейфа ионов H$^{+}$ из кремниевой подложки к межфазной границе Si–SiO$_{2}$. Влияние напряжения затвора на отрицательную термополевую нестабильность объясняется посредством влияния напряженности электрического поля на коэффициент сегрегации ионов H$^{+}$ на межфазной границе Si–SiO$_{2}$. Релаксация положительного объемного заряда, введенного в подзатворный диэлектрик при отрицательной термополевой нестабильности, описывается туннельной разрядкой оксидных ловушек электронами кремниевой подложки.