Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2, страницы 165–169
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48912.9159
(Mi phts5281)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Энергоэффективные газовые сенсоры на основе нанокристаллического оксида индия

Е. А. Форш, Е. А. Гусева

Московский государственный автомобильно-дорожный институт (технический университет)
Аннотация: Исследовано влияние размера нанокристаллов на чувствительность нанокристаллического оксида индия In$_{2}$O$_{3}$ с чрезвычайно малым размером нанокристаллов (от 7 до 40 нм), синтезированного золь-гель методом, к диоксиду азота в низких концентрациях при комнатной температуре при ультрафиолетовом освещении и без освещения. Обнаружено, что наибольший отклик к диоксиду азота демонстрирует образец с промежуточным размером нанокристаллов. Продемонстрирована возможность использования нанокристаллического In$_{2}$O$_{3}$ при создании сенсора для детектирования NO$_{2}$ в воздухе при комнатной температуре в условиях дополнительной УФ подсветки. Показано, что такой сенсор может работать и в условиях импульсной подсветки, что позволит существенно понизить его энергопотребление.
Ключевые слова: нанокристаллический оксид индия, ультрафиолетовое освещение, проводимость, фотопроводимость, диоксид азота.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа проведена в рамках тематик, разрабатываемых в Московском автомобильно-дорожном государственном техническом университете.
Поступила в редакцию: 16.05.2019
Исправленный вариант: 02.10.2019
Принята в печать: 02.10.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 2, Pages 217–221
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620020098
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Форш, Е. А. Гусева, “Энергоэффективные газовые сенсоры на основе нанокристаллического оксида индия”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 165–169; Semiconductors, 54:2 (2020), 217–221
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ForGus20}
\by Е.~А.~Форш, Е.~А.~Гусева
\paper Энергоэффективные газовые сенсоры на основе нанокристаллического оксида индия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 165--169
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5281}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48912.9159}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571093}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 217--221
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620020098}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5281
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p165
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024