Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2, страницы 149–152
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48895.9287 (Mi phts5278) 		 
Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge–Sb–Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления

А. Р. Кастро Аратаa, В. М. Стожаровa, Д. М. Долгинцевa, А. А. Кононовa, Ю. Сайтоb, П. Фонсb, Д. Томинагаb, Н. И. Анисимоваa, А. В. Колобовa

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
b Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, 305-8565 Хигаси, Цукуба, Япония
PDF полного текста (181 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48895.9287
Аннотация: Представлены результаты исследования структуры и процессов диэлектрической релаксации в тонких слоях системы Ge–Sb–Te. Обнаруженные дисперсия диэлектрической проницаемости и существование максимумов диэлектрических потерь в области низких частот объясняются структурными особенностями аморфной фазы исследуемых соединений.
Ключевые слова: структурные и диэлектрические свойства, халькогенидная система Ge–Sb–Te.
Поступила в редакцию: 15.10.2019
Исправленный вариант: 23.10.2019
Принята в печать: 23.10.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 2, Pages 201–204
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262002013X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Р. Кастро Арата, В. М. Стожаров, Д. М. Долгинцев, А. А. Кононов, Ю. Сайто, П. Фонс, Д. Томинага, Н. И. Анисимова, А. В. Колобов, “Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge–Sb–Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 149–152; Semiconductors, 54:2 (2020), 201–204
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KasStoDol20}
\by А.~Р.~Кастро Арата, В.~М.~Стожаров, Д.~М.~Долгинцев, А.~А.~Кононов, Ю.~Сайто, П.~Фонс, Д.~Томинага, Н.~И.~Анисимова, А.~В.~Колобов
\paper Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge--Sb--Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 149--152
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5278}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48895.9287}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571090}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 201--204
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262002013X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5278
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p149
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024