|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Профилирование компонент подвижности вблизи гетерограниц тонких пленок кремния
Э. Г. Зайцева, О. В. Наумова, Б. И. Фомин Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Предложен метод профилирования компонент эффективной подвижности носителей заряда $\mu_{\operatorname{eff}}$, определяемых рассеянием на поверхностных фононах и микрорельефе границ раздела тонкая пленка/диэлектрик. Метод основан на управляемой локализации носителей заряда относительно тестируемой гетерограницы за счет взаимосвязи потенциалов на противоположных сторонах пленки (coupling-эффекта). Предложенный метод позволяет независимо выделять компоненты подвижности вблизи разных гетерограниц пленок. Использование его при исследовании подвижности электронов в пленках кремний-на-изоляторе позволило получить информацию о шероховатости границы раздела и структурном совершенстве ультратонкого (1–3 нм) слоя кремния вблизи скрытой границы раздела пленка/диэлектрик.
Ключевые слова:
тонкие пленки, кремний-на-изоляторе, подвижность, гетерограница.
Поступила в редакцию: 26.09.2019 Исправленный вариант: 15.10.2019 Принята в печать: 15.10.2019
Образец цитирования:
Э. Г. Зайцева, О. В. Наумова, Б. И. Фомин, “Профилирование компонент подвижности вблизи гетерограниц тонких пленок кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 124–128; Semiconductors, 54:2 (2020), 176–180
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5274 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p124
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 11 |
|