Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2, страницы 117–122
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48915.9280
(Mi phts5272)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Отрицательная дифференциальная проводимость структур на основе оксида лантана

А. Игитянab, Н. Агамалянab, Р. Овсепянab, С. Петросянab, Г. Бадалянa, И. Гамбарянa, А. Папикянb, Е. Кафадарянab

a Институт физических исследований НАН Армении
b Российско-Армянский университет, г. Ереван
Аннотация: С помощью метода электронно-лучевого напыления получены прозрачные поверхностно-гидрированные пленки оксида лантана (OH–La$_{2}$O$_{3}$) толщиной 40, 140 и 545 нм. Исследованы электрические и оптические характеристики структур Al/OH–La$_{2}$O$_{3}$/$p$-Si, где в качестве верхнего и нижнего электродов использовали соответственно алюминий и кремниевую подложку с $p$-типом проводимости. Обнаружена область отрицательной дифференциальной проводимости на зависимостях проводимости от напряжения при прямом смещении; возможный механизм отрицательной дифференциальной проводимости объясняется переносом протонов по цепочкам молекул воды, связанных водородными связями на поверхности пленки OH–La$_{2}$O$_{3}$.
Ключевые слова: отрицательная дифференциальная проводимость, OH–La$_{2}$O$_{3}$, протонная проводимость.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российско-армянский университет
Работа выполнена при поддержке Российско-Армянского университета по постановлению Министерства образования и науки РФ.
Поступила в редакцию: 07.10.2019
Исправленный вариант: 15.10.2019
Принята в печать: 15.10.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 2, Pages 163–168
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620020104
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Игитян, Н. Агамалян, Р. Овсепян, С. Петросян, Г. Бадалян, И. Гамбарян, А. Папикян, Е. Кафадарян, “Отрицательная дифференциальная проводимость структур на основе оксида лантана”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 117–122; Semiconductors, 54:2 (2020), 163–168
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IgiAghOvs20}
\by А.~Игитян, Н.~Агамалян, Р.~Овсепян, С.~Петросян, Г.~Бадалян, И.~Гамбарян, А.~Папикян, Е.~Кафадарян
\paper Отрицательная дифференциальная проводимость структур на основе оксида лантана
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 117--122
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5272}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48915.9280}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571083}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 163--168
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620020104}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5272
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p117
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024