|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Электронные свойства полупроводников
Отрицательная дифференциальная проводимость структур на основе оксида лантана
А. Игитянab, Н. Агамалянab, Р. Овсепянab, С. Петросянab, Г. Бадалянa, И. Гамбарянa, А. Папикянb, Е. Кафадарянab a Институт физических исследований НАН Армении
b Российско-Армянский университет, г. Ереван
Аннотация:
С помощью метода электронно-лучевого напыления получены прозрачные поверхностно-гидрированные пленки оксида лантана
(OH–La$_{2}$O$_{3}$) толщиной 40, 140 и 545 нм. Исследованы электрические и оптические характеристики структур Al/OH–La$_{2}$O$_{3}$/$p$-Si, где в качестве верхнего и нижнего электродов использовали соответственно алюминий и кремниевую подложку с $p$-типом проводимости. Обнаружена область отрицательной дифференциальной проводимости на зависимостях проводимости от напряжения при прямом смещении; возможный механизм отрицательной дифференциальной проводимости объясняется переносом протонов по цепочкам молекул воды, связанных водородными связями на поверхности пленки OH–La$_{2}$O$_{3}$.
Ключевые слова:
отрицательная дифференциальная проводимость, OH–La$_{2}$O$_{3}$, протонная проводимость.
Поступила в редакцию: 07.10.2019 Исправленный вариант: 15.10.2019 Принята в печать: 15.10.2019
Образец цитирования:
А. Игитян, Н. Агамалян, Р. Овсепян, С. Петросян, Г. Бадалян, И. Гамбарян, А. Папикян, Е. Кафадарян, “Отрицательная дифференциальная проводимость структур на основе оксида лантана”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 117–122; Semiconductors, 54:2 (2020), 163–168
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5272 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p117
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 15 |
|