Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страницы 280–284
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49033.9260
(Mi phts5265)
 

Физика полупроводниковых приборов

Свойства микрорезонатора на основе таммовского плазмона с внутрирезонаторными металлическими слоями и органической активной областью

К. М. Морозовab, А. В. Белоновскийab, Е. И. Гиршоваa, К. А. Ивановb, М. А. Калитеевскийabc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Проведено теоретическое исследование свойств микрорезонаторной структуры с внутрирезонаторными металлическими слоями и органической активной областью (малой молекулы CBP (4,4'-Bis($N$-carbazolyl)-1,1' -biphenyl)). Структура состояла из слоя органического материала CBP заданной толщины, заключенного между двумя слоями серебра, тонкими фазосогласующими слоями CBP ($d_{\mathrm{ph}}$ = 26 нм) и двумя четвертьволновыми брэгговскими отражателями. Было показано, что гибридные моды, локализованные в центральном слое структуры, могут значительно увеличивать скорость затухания люминесценции органического излучателя посредством эффекта Парселла. Был обнаружен сдвиг гибридных мод при их взаимодействии с экситонным резонансом в CBP, что может означать о появлении режима сильной связи.
Ключевые слова: таммовский плазмон, органический светодиод, вертикально-излучающий лазер, экситон.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10503
Авторы выражают благодарность Российскому научному фонду (проект № 16-12-10503).
Поступила в редакцию: 19.09.2019
Исправленный вариант: 01.10.2019
Принята в печать: 05.11.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 3, Pages 350–354
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262003015X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. М. Морозов, А. В. Белоновский, Е. И. Гиршова, К. А. Иванов, М. А. Калитеевский, “Свойства микрорезонатора на основе таммовского плазмона с внутрирезонаторными металлическими слоями и органической активной областью”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 280–284; Semiconductors, 54:3 (2020), 350–354
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MorBelGir20}
\by К.~М.~Морозов, А.~В.~Белоновский, Е.~И.~Гиршова, К.~А.~Иванов, М.~А.~Калитеевский
\paper Свойства микрорезонатора на основе таммовского плазмона с внутрирезонаторными металлическими слоями и органической активной областью
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 280--284
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5265}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49033.9260}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776682}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 350--354
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262003015X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5265
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p280
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024