|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Кластеризация марганца в ZnS : Mn, Mg, полученного методом высокотемпературного самораспространяющегося синтеза
Ю. Ю. Бачериковa, И. П. Воронаa, О. Б. Охрименкоa, В. П. Кладькоa, А. Г. Жукa, С. М. Окуловa, Ю. О. Полищукa, А. В. Гильчукb, Ю. М. Романенкоb, В. В. Кидаловc a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт имени Игоря Сикорского», Киев
c Бердянский государственный педагогический университет
Аннотация:
Порошок ZnS : Mn, Mg был получен методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза с одновременным введением примесей Mn и Mg. Обнаружено, что одновременное введение примесей Mn и Mg приводит к неравномерному распределению марганца, который формирует области с меньшей и большей концентрацией Mn. В последнем случае ионы марганца образуют парамагнитные кластеры. В то же время из-за механического напряжения и деформации решетки в синтезированном ZnS : Mn, Mg образовалось большое количество центров самоактивированной люминесценции. Дополнительный отжиг приводит к более равномерному распределению Mn в полученном люминофоре ZnS : Mn, Mg, что сопровождается повышением интенсивности полосы фотолюминесценции марганца и гашением полосы самоактивированной люминесценции.
Ключевые слова:
самораспространяющийся высокотемпературный синтез, ZnS : Mn, Mg, фотолюминесценция, сканирующая электронная микроскопия, электронный парамагнитный резонанс, отжиг.
Поступила в редакцию: 12.11.2019 Исправленный вариант: 19.11.2019 Принята в печать: 19.11.2019
Образец цитирования:
Ю. Ю. Бачериков, И. П. Ворона, О. Б. Охрименко, В. П. Кладько, А. Г. Жук, С. М. Окулов, Ю. О. Полищук, А. В. Гильчук, Ю. М. Романенко, В. В. Кидалов, “Кластеризация марганца в ZnS : Mn, Mg, полученного методом высокотемпературного самораспространяющегося синтеза”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 259–265; Semiconductors, 54:3 (2020), 330–336
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5262 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p259
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 21 |
|