Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страницы 238–243
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49025.9249 (Mi phts5259) 		 
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур

М. В. Григорьевa, Д. А. Казарянbc, Е. Е. Вдовинa, Ю. Н. Ханинa, С. В. Морозовa, К. С. Новоселовbd

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
b School of Physics and Astronomy, The University of Manchester, Manchester, United Kingdom
c Department of Physics, National Research University Higher School of Economics, Moscow, Russia
d Department of Material Science and Engineering, National University of Singapore, Singapore, Republic of Singapore
PDF полного текста (498 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49025.9249
Аннотация: Исследовано резонансное туннелирование через уровни дефектов в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур. Обнаружен эффект мультиплицирования туннельных резонансов через эти уровни, обусловленный влиянием высокой дефектности структуры соседнего слоя графена, созданной нами преднамеренно с помощью его обработки в плазме. Обсуждены различные механизмы такого влияния.
Ключевые слова: графен, ван-дер-ваальсовы гетероструктуры, дефекты кристаллической решетки, нитрид бора, туннельный транзистор, резонансное туннелирование.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-12-01393
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Е.Е. Вдовин, Ю.Н. Ханин и С.В. Морозов благодарят за финансовую поддержку РНФ (грант № 17-12-01393), М.В. Григорьев выражает отдельную благодарность Программе президиума РАН “Изучение квантовых эффектов в веществе в конденсированном состоянии при сверхнизких температурах”. Авторы благодарят П.Л. Шабельникову за техническое содействие.
Поступила в редакцию: 26.08.2019
Исправленный вариант: 06.11.2019
Принята в печать: 07.11.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 3, Pages 291–296
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620030082
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Григорьев, Д. А. Казарян, Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, С. В. Морозов, К. С. Новоселов, “Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 238–243; Semiconductors, 54:3 (2020), 291–296
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GriGhaVdo20}
\by М.~В.~Григорьев, Д.~А.~Казарян, Е.~Е.~Вдовин, Ю.~Н.~Ханин, С.~В.~Морозов, К.~С.~Новоселов
\paper Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 238--243
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5259}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49025.9249}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776676}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 291--296
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620030082}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5259
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p238
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:61
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024