|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур
М. В. Григорьевa, Д. А. Казарянbc, Е. Е. Вдовинa, Ю. Н. Ханинa, С. В. Морозовa, К. С. Новоселовbd a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
b School of Physics and Astronomy, The University of Manchester, Manchester, United Kingdom
c Department of Physics, National Research University Higher School of Economics, Moscow, Russia
d Department of Material Science and Engineering, National University of Singapore, Singapore, Republic of Singapore
Аннотация:
Исследовано резонансное туннелирование через уровни дефектов в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур. Обнаружен эффект мультиплицирования туннельных резонансов через эти уровни, обусловленный влиянием высокой дефектности структуры соседнего слоя графена, созданной нами преднамеренно с помощью его обработки в плазме. Обсуждены различные механизмы такого влияния.
Ключевые слова:
графен, ван-дер-ваальсовы гетероструктуры, дефекты кристаллической решетки, нитрид бора, туннельный транзистор, резонансное туннелирование.
Поступила в редакцию: 26.08.2019 Исправленный вариант: 06.11.2019 Принята в печать: 07.11.2019
Образец цитирования:
М. В. Григорьев, Д. А. Казарян, Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, С. В. Морозов, К. С. Новоселов, “Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 238–243; Semiconductors, 54:3 (2020), 291–296
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5259 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p238
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 61 | PDF полного текста: | 14 |
|