Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страницы 232–237
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49024.9294 (Mi phts5258) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Фотолюминесцентные и фотоэлектрические свойства тонкопленочной структуры ZnO–LiNbO$_{3}$ в ультрафиолетовом и видимом диапазонах спектра

Л. В. Григорьевab, И. С. Морозовa, Н. В. Журавлевa, А. А. Семеновb, А. А. Никитинb

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (143 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49024.9294
Аннотация: Представлены результаты исследования структурных, оптических, фотолюминесцентных и фотоэлектрических свойств тонкопленочной структуры ZnО–LiNbO$_{3}$. Приведены результаты рентгеноструктурного анализа пленки оксида цинка, синтезированной на подложке из монокристаллического ниобата лития и на подложке из кварцевого стекла КУ-1. Приведены спектры пропускания, спектры отражения, спектры поглощения, спектральная зависимость фотолюминесценции и спектральная зависимость фотоэлектрического тока тонкопленочной структуры ZnО–LiNbO$_{3}$ и структуры ZnO–SiO$_{2}$ в ультрафиолетовом и видимом диапазонах спектра.
Ключевые слова: оксид цинка, лазерная абляция, сегнетоэлектрик, фотолюминесценция, фотопроводимость, регуляризация Тихонова–Лаврентьева.
Поступила в редакцию: 23.10.2019
Исправленный вариант: 31.10.2019
Принята в печать: 31.10.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 3, Pages 285–290
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620030094
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. В. Григорьев, И. С. Морозов, Н. В. Журавлев, А. А. Семенов, А. А. Никитин, “Фотолюминесцентные и фотоэлектрические свойства тонкопленочной структуры ZnO–LiNbO$_{3}$ в ультрафиолетовом и видимом диапазонах спектра”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 232–237; Semiconductors, 54:3 (2020), 285–290
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GriMorZhu20}
\by Л.~В.~Григорьев, И.~С.~Морозов, Н.~В.~Журавлев, А.~А.~Семенов, А.~А.~Никитин
\paper Фотолюминесцентные и фотоэлектрические свойства тонкопленочной структуры ZnO--LiNbO$_{3}$ в ультрафиолетовом и видимом диапазонах спектра
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 232--237
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5258}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49024.9294}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776675}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 285--290
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620030094}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5258
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p232
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024