Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страницы 228–231
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49023.9308 (Mi phts5257) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Отражение от боковой грани кристалла PbSb$_{2}$Te$_{4}$

С. А. Немовabc, Ю. В. Улашкевичd, М. В. Погумирскийe, О. С. Степановаb

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Забайкальский государственный университет, г. Чита
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e ООО "ФАРЭКСПОРТ", Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (105 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49023.9308
Аннотация: Впервые измерены спектры отражения от боковой грани кристалла PbSb$_{2}$Te$_{4}$ при комнатной температуре в поляризованном свете в диапазоне волновых чисел 50 – 4000 см$^{-1}$. Показана значительная анизотропия кристалла в направлениях вдоль и поперек слоев кристалла. Выявленные особенности спектров интерпретированы вкладом плазменных колебаний и колебаний кристаллической решетки. Рассчитанные значения параметров диэлектрической функции в рамках модели Друде–Лоренца согласуются с экспериментальными данными.
Ключевые слова: термоэлектрические материалы, кристалл PbSb$_{2}$Te$_{4}$, спектр отражения, модель Друде–Лоренца.
Поступила в редакцию: 07.11.2019
Исправленный вариант: 12.11.2019
Принята в печать: 12.11.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 3, Pages 282–284
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620030161
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Немов, Ю. В. Улашкевич, М. В. Погумирский, О. С. Степанова, “Отражение от боковой грани кристалла PbSb$_{2}$Te$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 228–231; Semiconductors, 54:3 (2020), 282–284
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NemUlaPog20}
\by С.~А.~Немов, Ю.~В.~Улашкевич, М.~В.~Погумирский, О.~С.~Степанова
\paper Отражение от боковой грани кристалла PbSb$_{2}$Te$_{4}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 228--231
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5257}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49023.9308}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776674 }
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 282--284
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620030161}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5257
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p228
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024