|
Электронные свойства полупроводников
Разогрев электронов в чистом Ge в квантовом магнитном поле при термическом возбуждении носителей заряда
В. Ф. Баннаяa, Е. В. Никитинаb a Московский Педагогический Государственный Университет
b Российский университет дружбы народов, г. Москва
Аннотация:
Рассмотрены результаты экспериментального исследования разогрева носителей заряда электрическим полем $(\mathbf{E})$ в чистом Ge в квантовом магнитном поле $(\mathbf{H})$ при ($\mathbf{E}\perp\mathbf{H}$) при низких температурах, $T$ = 4.2, 1.8 K, в условиях термовозбуждения. Показано, что в этих условиях на среднее время жизни носителей влияет зависимость от $E$ и $H$ коэффициента термической ионизации. Полученные результаты качественно согласуются с теорией каскадного захвата носителей на изолированные центры в скрещенных электрическом и магнитном полях.
Ключевые слова:
квантованность, каскадный захват, электрическое поле, постоянная Холла, магнитное поле.
Поступила в редакцию: 08.10.2019 Исправленный вариант: 15.10.2019 Принята в печать: 15.10.2019
Образец цитирования:
В. Ф. Банная, Е. В. Никитина, “Разогрев электронов в чистом Ge в квантовом магнитном поле при термическом возбуждении носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 221–223; Semiconductors, 54:3 (2020), 275–277
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5255 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p221
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 9 |
|