|
Углеродные системы
Терагерцовая фотопроводимость в графене в магнитном поле
Ю. Б. Васильевa, С. Н. Новиковb, С. Н. Даниловc, С. Д. Ганичевcd a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Aalto University, Tietotie 3, 02150 Espoo, Finland
c Terahertz Center TerZ, University of Regensburg, Regensburg, Germany
d CENTERA Laboratories, Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, 01-142 Warsaw, Poland
Аннотация:
Изучается терагерцовая фотопроводимость в магнитном поле в эпитаксиальном графене, выращенном на подложке SiC. Проведены исследования зависимости амплитуды сигнала фотоотклика от величины магнитного поля при разных значениях концентрации электронов, тока смещения, интенсивности терагерцового излучения. Механизм фотопроводимости, основанный на нагреве электронов терагерцовым излучением, хорошо объясняет экспериментальные результаты. С увеличением величины магнитного поля обнаружен сильный рост сигнала фотопроводимости из-за увеличения времени релаксации вследствие подавления электрон-электронного рассеяния.
Ключевые слова:
графен, фотопроводимость, терагерцовое излучение, магнитное поле.
Поступила в редакцию: 28.11.2019 Исправленный вариант: 05.12.2019 Принята в печать: 05.12.2019
Образец цитирования:
Ю. Б. Васильев, С. Н. Новиков, С. Н. Данилов, С. Д. Ганичев, “Терагерцовая фотопроводимость в графене в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 388–393; Semiconductors, 54:4 (2020), 465–470
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5248 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i4/p388
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 16 |
|