Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 4, страницы 367–370
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49142.9331
(Mi phts5245)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Изменения фотоэлектрических свойств нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния под влиянием предварительного освещения при повышенных температурах

Н. Н. Ормонт, И. А. Курова

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация: Проведено исследование влияния предварительной слабой засветки при повышенных температурах на фотоэлектрические свойства нелегированных пленок $\alpha$-Si : H. Установлено, что темновая проводимость и фотопроводимость пленок растут с увеличением интенсивности предварительной засветки, а параметр $\gamma$, определяющий зависимость фотопроводимости от интенсивности освещения, уменьшается вследствие увеличения доли бимолекулярной рекомбинации электронов на энергетических уровнях хвоста плотности состояний зоны проводимости. Предположено, что это может быть обусловлено наличием неконтролируемой примеси кислорода и увеличением электрически активной концентрации кислорода в результате предварительного освещения пенки при повышенных температурах.
Ключевые слова: аморфный гидрированный кремний, $\alpha$-Si : H, фотоиндуцированные метастабильные состояния, аномальный эффект Стеблера–Вронского, люксамперная характеристика, энергия активации, кислород.
Поступила в редакцию: 10.12.2019
Исправленный вариант: 16.12.2019
Принята в печать: 16.12.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 4, Pages 437–440
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620040119
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Н. Ормонт, И. А. Курова, “Изменения фотоэлектрических свойств нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния под влиянием предварительного освещения при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 367–370; Semiconductors, 54:4 (2020), 437–440
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OrmKur20}
\by Н.~Н.~Ормонт, И.~А.~Курова
\paper Изменения фотоэлектрических свойств нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния под влиянием предварительного освещения при повышенных температурах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 367--370
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5245}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49142.9331}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776699}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 437--440
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620040119}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5245
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i4/p367
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024