Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 5, страницы 461–465
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49262.9345 (Mi phts5230) 		 
Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS$_{2}$, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления

А. А. Кононовa, Р. А. Кастро Аратаa, Д. Д. Главнаяa, В. М. Стожаровa, Д. М. Долгинцевa, Ю. Сайтоb, П. Фонсb, Н. И. Анисимоваa, А. В. Колобовab

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
b Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, 305-8565 Цукуба Централ 5, 1-1-1 Хигаси, Цукуба, Япония
PDF полного текста (209 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49262.9345
Аннотация: Представлены результаты исследования поляризационных процессов в тонких слоях аморфного дисульфида молибдена MoS$_{2}$ методом диэлектрической спектроскопии. Обнаружен процесс дипольно-релаксационной поляризации, произведен расчет микропараметров системы, определено время релаксации процесса дипольной поляризации, а также энергия активации релаксационного процесса $E_{a}$ и энергия активации проводимости $E_{\sigma}$. Схожесть значений энергии активации релаксационного процесса $E_{a}$ и процесса переноса заряда $E_{\sigma}$ позволяет предположить, что оба процесса появляются в системе благодаря одному и тому же механизму переноса.
Ключевые слова: дисульфид молибдена, дихалькогениды переходных металлов, процессы переноса.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-07-00353 А
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 19-07-00353 А.
Поступила в редакцию: 13.01.2020
Исправленный вариант: 17.01.2020
Принята в печать: 17.01.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 5, Pages 558–562
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620050073
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Кононов, Р. А. Кастро Арата, Д. Д. Главная, В. М. Стожаров, Д. М. Долгинцев, Ю. Сайто, П. Фонс, Н. И. Анисимова, А. В. Колобов, “Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS$_{2}$, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 461–465; Semiconductors, 54:5 (2020), 558–562
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KonCasGla20}
\by А.~А.~Кононов, Р.~А.~Кастро Арата, Д.~Д.~Главная, В.~М.~Стожаров, Д.~М.~Долгинцев, Ю.~Сайто, П.~Фонс, Н.~И.~Анисимова, А.~В.~Колобов
\paper Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS$_{2}$, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 5
\pages 461--465
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5230}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49262.9345}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42906058}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 5
\pages 558--562
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620050073}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5230
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i5/p461
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024